氧化镓单晶及外延片生长-创新成果-全国高校区域技术转移转化中心(江苏)

创新成果

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研发团队	南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）李山副教授
技术领域	信息超材料
项目简介	通过自主组装改造的国产导模法单晶炉，突破2英寸Ga2O3单晶等径生长技术，实现装备与技术的自主可控。基于双温控垂直喷淋MOCVD系统开发大面积Ga2O3薄膜均匀生长技术，在2英寸异质外延中实现厚度高均匀性；通过Si/Sn/Al掺杂探索高效电学性能调控。市场应用前景：市场价值较高，产业化前景较好。技术先进性、原创性：率先突破了2英寸氧化镓单晶等径生长技术，实现了单晶生长装备和技术的自主可控。在Ga2O3异质外延方面，团队基于双温控垂直喷淋MOCVD系统开发了大面积氧化镓薄膜均匀生长技术，现2英寸异质外延薄膜厚度高均匀性的突破；并通过Si、Sn、Al元素的掺杂制备，探索了氧化镓外延薄膜的高效电学性能调控技术。应用范围：适用于高压、电力电子、新能源汽车等