高压低功耗碳化硅功率器件产业化应用-创新成果-全国高校区域技术转移转化中心(江苏)

创新成果

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研发团队	西安电子科技大学张玉明教授团队
技术领域	信息超材料
项目简介	该项目聚焦第三代半导体碳化硅(SiC)高压功率器件研发，旨在突破高耐压、低损耗、高可项目简介靠性的技术瓶颈，推动国产SiC器件在新能源电网、轨道交通、新能源汽车等领域的规模化应用，支撑国家能源战略与“新基建”布局。市场应用前景：电驱系统与充电桩：碳化硅器件的高频、高压特性可显著提升新能源汽车电机驱动效率和充市场应用前景电桩功率密度，预计2025年SiC在汽车应用领域市场份额占比超70%。智能电网与光伏逆变器：SiC器件可将光伏逆变器效率提升至98%以上，并降低电网输电损耗20%-30%,适配1500V高压光伏系统。发展规划：持续推进1200V及以上等级SiC功率器件研发，通过凹槽辅助场限制环场调制技术、多层掩模多步刻蚀工艺等，突破击穿电压提升至6.7kV以上，终端击穿效率优化至99%。应用范围：光伏发电与储能系统；新能源汽车与充电设施