氮化镓（GaN）电力电子器件-创新成果-全国高校区域技术转移转化中心(江苏)

创新成果

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研发团队	西安电子科技大学郝跃院士团队
技术领域	信息超材料
项目简介	氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，具有高耐压、低损耗、耐高温等特性，是突破传统硅基器件性能瓶颈的关键技术。西安电子科技大学聚焦GaN电力电子器件研发，旨在推动其在新能源、5G通信、工业互联网等“新基建”领域的国产化应用。市场应用前景：光伏逆变器：GaN器件提效至99%以上，减体积与散热成本，用于国家电网项目。电动汽车充电桩：开发1200V级GaN快充模块，提效15%-20%,与比亚迪半导体合作。发展规划：布局光伏逆变器、电动汽车快充模块，计划与比亚迪半导体合作开发800V高压平台充电桩，降成本20%。开发抗辐照、耐高温GaN器件，应用于卫星、舰载雷达等高端装备。