超快闪存的规模集成和极限微缩

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发布时间:2025/12/17
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研发团队

复旦大学周鹏-刘春森团队

技术领域

光电融合

项目简介

团队开发了超界面工程技术,在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面,结合原子级精度的表征技术,验证集成工艺显著优于国际水平。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是目前最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。
通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试,证实了二维闪存在1Kb存储规模中,纳秒级非易失编程速度下良率高达98%,这一良率已高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。超快闪存器件在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。有望推动超快颠覆性闪存技术产业化。