3D闪存存储器件可靠性模型与纠错码技术-创新成果-全国高校区域技术转移转化中心(江苏)

创新成果

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研发团队	华中科技大学
技术领域	先进通信
项目简介	3D闪存因高密度堆叠设计导致阈值电压窗口变窄、写入耐久性下降及误码率攀升，严重制约A1、5G、数据中心等场景下的存储性能与数据可靠性。构建通用化高精度可靠性建模与自适应纠错系统，基于机器学习精准预测闪存误码行为，开发动态调整LDPC纠错算法，提升数据读写效能与容错能力。采用神经网络+集成学习模型实现跨芯片工况误码率预测;创新自适应码率与错误感知调权LDPC算法，减少迭代次数并提高纠错效率;显著降低读延迟，支持未来高层堆叠架构，适配多厂商芯片与平台环境。技术处于研发阶段，可优化3D NAND控制器设计与闪存系统，未来将应用于消费电子、企业级SSD、服务器及数据中心等对存储可靠性要求严苛的领域。