基于先进SIP封装技术的超低相位噪声宽频域频率源及关键芯片设计和产业化

成果单位:
发布时间:2025/12/17
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需求类型

技术改造

意向投入金额(万元)

面议

单位名称

南京米乐为微电子科技股份有限公司

所属技术领域一级

航空航天

所属技术领域二级

航空技术

合作方式

技术转让,合作开发,技术许可,其他

需求描述

1、超宽带VCO设计与相位噪声优化
需在8~18GHz全频带实现优于-110dBc/Hz@100kHz的相位噪声,需采用GaN/InP基高Q值谐振腔与低噪声反馈电路拓扑,解决高频段谐振损耗与热噪声叠加问题;通过多核VCO分段调谐技术,在保持单芯片集成度的前提下覆盖8~18GHz范围,规避传统倍频方案引入的相位噪声恶化。
2、10GHz小数分频PLL芯片
DC-10GHz超宽带PLL需集成射频分频器、24位小数调制器及低杂散电荷泵,突破10GHz射频信号在微型封装内的电磁串扰抑制难题,需采用3D TSV互连与电磁屏蔽腔体结构;通过动态环路带宽校准技术实现全频带锁定时间≤50μs,解决传统锁相环在超宽带场景下的稳定性与响应速度矛盾。
3、微型封装热-力-电协同设计
在1.8mm厚度限制下,采用多层低温共烧陶瓷(LTCC)基板与芯片倒装焊工艺,通过热沉微通道结构将功率密度控制在≤0.5W/mm²,确保全频带工作温度≤85℃;利用MEMS空气桥技术实现18GHz高频信号传输损耗≤0.3dB/mm,重量控制需通过钛合金腔体轻量化与纳米多孔介质填充实现封装密度≤2.8g/cm³。

现有基础